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NDH8521C中文资料

  • 大小:101.89KB
  • 厂家:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述:Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:3.8 A, - 2.7 A
  • 配置:Dual Dual Drain
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SuperSOT-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:15 nS, 16 nS
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:800 mW
  • 上升时间:15 nS, 16 nS
  • 工厂包装数量:3000
  • 典型关闭延迟时间:20 nS, 35 nS

NDH8521C供应商

更新时间:2023-01-24 05:40:57
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