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NDH8521C中文资料

  • 大小：101.89KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：3.8 A, - 2.7 A
  • 配置：Dual Dual Drain
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SuperSOT-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：15 nS, 16 nS
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：800 mW
  • 上升时间：15 nS, 16 nS
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：20 nS, 35 nS

NDH8521C供应商

更新时间:2023-01-24 05:40:57
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NJM2904M(TE1)NL37WZ06USNAND128W3A2BN6ENJM2058DNL17SZ00XV5T2GNSR0620P2T5GNC7ST00M5XNTGS3136PT1GNUF6010MUT2GNL17SZU04DFT2G

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